深圳市智美芯科技有限公司

原厂原装场管 IR9540 TO-220,原装

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF9540 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:CHIP/小型片状 材料:GE-N-FET锗N沟道 漏极电流:1 低频噪声系数:1 极间电容:1

场管FS8205 TSSOP-8/富晶原装

品牌/商标:FORTUNE/台湾富晶 型号/规格:FS8205A 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:S/开关 封装外形:CHIP/小型片状 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

原装6N65 6N60 7N65 10N60MOS管，原装，质量*

品牌/商标:Samwin 型号/规格:SW6N65 TO220 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:D/变频换流 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）

原装SVD7N60 大功率MOS管

品牌/商标:SVD 型号/规格:SND7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道

原装SW10N60 MSO管

品牌/商标:SW 型号/规格:SW10N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-P-FET锗P沟道

原装ROM MJE2955

品牌/商标:ST/意法 型号/规格:MJE2955T 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:DC/直流 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:1（V） 夹断电压:1（V） 跨导:1（μS） *间电容:1（pF） 低频噪声系数:1（dB） 漏*电流:1（mA） 耗散功率:1（mW）